按照海关数据，2021年，国内进口芯片金额近4400亿美元，创下了历史纪录，要知道在所有的进口的商品中，芯片金额占比高达28．6％，可见国内对于国外的芯片有多依赖。
所以这几年，大家有一个共同的希望，那就是国产芯片能够崛起，能够迅速的提高自给率，减少进口。
而基于当前大家都懂的外部形势，要想真正的减少进口，提高自给率，其实要求是国内半导体供应链能够崛起，特别是半导体设备，能够达到先进工艺，这样才不会被卡脖子。
那么问题就来了，目前所有国产半导体设备中，究竟哪一种是最落后的，最需要突破的？其实最落后的，就是大家最熟悉的光刻机。
我们知道芯片制造过程中，工序特别多，需要的半导体设备也特别多，但主要可以分为三个主要步骤，那就是单晶硅片制造、前道工序、
单晶硅片制造就是把砂子变成晶圆的过程，这一块目前国内有300mm的晶圆，可以用于10nm以下，所以这一块的国产设备，并不落后。
而前道工序这里有8个主要流程，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试，所以至少有8种关键设备。
这8种关键设备里面，只有国产光刻机目前还在90nm，其它的设备大多到了28nm，甚至14nm的程度，有些甚至到了5nm，3nm，比如刻蚀机。
而后道工序主要是指封测这一块，目前国内有三大厂商，早就到了5nm，基本上国内也是处于全球先进水平的。
可见，综合起来看，真正最拖后腿的就是国产光刻机了，还在90nm，而芯片制造是遵循短板理论的，能够制造多少nm的芯片，取决于最落后的那一环，所以光刻机必须突破，所以永远拖后腿，严重阻碍国产芯片的崛起了。
原文标题 : 光刻机应该是国产半导体设备中最拖后腿的，必须突破才行
