深圳2021年3月17日 ／美通社／ －－ 2021年是DDR内存技术升级换代的快速发展阶段，自2020年以来，5G、AI、汽车、电竞市场需求的居高不下，加速推动了DDR产品迭代以及技术升级。2020年7月中旬JEDEC固态存储协会正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范后，DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。
江波龙电子（以下简称“Longsys”）紧跟存储技术发展前沿，为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望，进而为存储行业应用的未来提供更多可能性，在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品（ES1）。此外，Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。
江波龙电子DDR5内存产品
DDR5内存速率最高可达6400Mbps，是DDR4的两倍
此次DDR5的产品发布，涉及两款全新架构产品原型，分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On－die－ECC。相较于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。
产品系列 | DDR5 UDIMM | DDR5 UDIMM |
容量 | 16GB | 32GB |
设计参考 | JEDEC R／C A 0．50 | JEDEC R／C B 0．51 |
设计架构 | 1Rank x8 ／ 288PIN | 2Rank x8 ／ 288PIN |
速度 | 4800Mbps | 4800Mbps |
延迟时序 | CL 40 | CL 40 |
VDD／VDDQ／VPP | 1．1V／1．1V／1．8V | 1．1V／1．1V／1．8V |
工作温度 | 0摄氏度 ～ ＋95摄氏度 | 0摄氏度 ～ ＋95摄氏度 |
储存温度 | －55摄氏度 ～ ＋100摄氏度 | －55摄氏度 ～ ＋100摄氏度 |
DRAM P／N | MT60B2G8HB－48B：A | MT60B2G8HB－48B：A |
DRAM 密度 | 16Gb（2Gx8） | 16Gb（2Gx8） |
PCB Layout | 8 Layer | 8 Layer |
PCB 尺寸 | 133．35 ＊ 31．25 ＊ 1．27 mm | 133．35 ＊ 31．25 ＊ 1．27 mm |
全方位数据测试 性能稳定突出
Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累，在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入，此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。其中，展示的测试实例采用了Intel AlderLake－S ADP－S CRB开发板，搭配Longsys DDR5 32GB内存模组，并配置Windows 10 Pro x64操作系统，分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。
通过BIOS了解到DDR5新架构采用了两个完全独立的32位通道
1 鲁大师测试数据
首先呈现的是硬件配置，内存识别为Longsys ID。
通过鲁大师测试，Longsys DDR5 32GB的跑分高达19万分有余。
2 AIDA64测试数据
通过测试，能够获取到Longsys DDR5 32GB读／写／拷贝／延迟的性能跑分。
为了更加直观地体现性能的提升力度，还加入了DDR4的测试对比。根据数据显示，Longsys DDR5在性能上实现了跨越式提升。
Production | Longsys DDR5 | Longsys DDR4 | 各指标性能提升能力 | |
CL | 40 | 22 | ||
AIDA64 | Read | 35844 | 25770 | 40％ |
Write | 32613 | 23944 | 36％ | |
Copy | 28833 | 25849 | 11％ | |
Latency | 112．1 | 56．8 | －－ | |
鲁大师 | 内存跑分 | 193864 | 91757 | 110％ |
核心指标揭秘
Longsys DDR5新技术强大之处
功能／指标 | 技术／参数 |
纠错模式 | 支持On－die－ECC |
预取模式 | 支持16n Prefetch模式（BL16） |
端到端接收模式 | 扩展增加CA／CS类信号ODT |
均衡模式 | 支持DFE技术（增强信号完整性） |
电源管理模式 | 增加PMIC集成功能 |
刷新模式 | 支持SAME－BANK Refresh技术 |
通道模式 | 内置独立双通道机制 |
阵列分层模式 | 支持8个BG，共32个Banks |
纠错能力增加
在优化DDR5 DRAM内核运算能力上，Longsys DDR5增加内置纠错码（ECC），全面实现数据纠错能力，进一步提高数据完整性，同时也缓解了系统错误校正负担并充分利用DRAM读写的高效机制。
增加16n的预取模式
BL16使得Longsys DDR5内存的并发性在DDR4的基础上提升了一倍，信号能够更完整高效地传递。本次DDR5 DIMM新架构采用了两个完全独立的32位通道，提高了并发性，并使系统中可用的内存通道增加了一倍。
端到端的接收模式的强化
在DDR5新技术应用中除了DQ／DQS／DM继续采用ODT功能，增加CA、CS类信号也使用了ODT。因此，Longsys DDR5内存进一步减少了信号脉冲的反射干扰效应，让信号传输更加纯净。
DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5内存使Bank Group的数量增加了一倍，并且每个Group的Bank数量保持不变。Longsys DDR5 BG提供更少的访问延迟，加倍提高了系统的整体效率，允许更多页面同时被打开。
SAME－BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根据标准还实现了一个新特性，称为SAME－BANK Refresh（同步刷新）。此命令允许刷新每个BG中的一个Bank，使所有其他Banks保持打开状态以继续正常操作。
FORESEE DDR5 内存模组产品（ES1）
未来的应用场景不断革新和进步，对存储技术提出了更严苛的要求，亦大大加速了DDR5发展进程，各大主流平台对于DDR5的支持也推进迅速。Intel方面预计今年第三季度就有支持DDR5的平台上市。而驱动DRAM内存市场向DDR5升级的动力来自对带宽有强烈需求的专业应用领域，比如服务器、云计算、数据中心、高性能计算机等应用领域均有望得到重点部署，此次迭代也为行业客户提供了更出色的内存解决方案。
Lexar雷克沙 DDR5 内存模组产品（ES1）
随着全球大量资本进入电竞市场，促进了电竞行业日渐普及与成熟，这也让电竞玩家对内存等电脑配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不仅能够助力电竞玩家拥有更流畅的电竞体验，亦能带动电竞行业的可持续性发展。非但如此，对于白领用户，特别是设计师、剪辑师等对设备性能有刚需的职业，Lexar雷克沙DDR5可有效提高办公效率，将更多时间留给创造性工作。
结语
尽管Longsys内存产品线起步较晚，但能够在技术创新的征途上愈战愈勇，源于Longsys专注存储行业20余年的技术底蕴，以及打造高品质存储产品的决心。截止2021年3月12日，Longsys申请专利总数达到838个，其中境外专利申请178项；已授权且维持有效专利411项、其中境外授权且维持有效专利83项；软件著作权65项。在紧握自主创新能力的同时，注重对知识产权的保护。
今年，Longsys内存产品线仍将精益求精，持续提供更多的DDR5产品规格和技术服务，助力行业客户、终端用户投入DDR5到未来的应用场景中，为存储生态领域增添色彩。
