随着国际间贸易动荡的影响，半导体存储行业的重要性越发凸显，再加上物联网开始普及，数据已经从数字化生活的副产品，转变成为全球经济的驱动引擎，所以对存储行业造成了巨大的需求增长。为了满足这个需求，各大闪存原厂开始不断在闪存堆栈层数上创新，三星作为存储芯片领域的领头羊，不断缔造创新，不断突破技术的界限，给我们带来更多可选空间。
近日，继三星推出860 QVO固态硬盘之后，又推出了更大容量、搭载9X层第二代QLC NAND闪存颗粒的固态硬盘，相比上代产品，持续性能提高了21％，智能TurboWrite的耐用性提高到原来的3．8倍，性能炸裂，那这款产品实际的表现如何？接下来就让我们一睹为快吧。
QLC闪存颗粒的大容量优势尽显
众所周知，从上一代三星860 QVO就采用了三星QLC颗粒，看到QLC，大家第一感觉就是去跟SLC、MLC、TLC颗粒去对比，比如说QLC的P／E寿命较低，速度最慢，甚至会认为QLC的应用是一种技术的倒退，所以还有一些用户持观望态度。但实际上目前QLC的技术已经非常成熟。
首先就是成本，目前无论是MLC还是TLC颗粒，更大容量的硬盘价格依然十分昂贵，但是用户的需求已经不能满足于512GB、1TB这样的容量，所以很多产品还是采用了固态＋机械储存的解决方案。而QLC NAND最大的优势就是在于成本更低，能够以相同的成本下做出更大容量的产品，所以QLC颗粒的870 QVO 能够做到更大的4TB、8TB，甚至超过了2．5英寸硬盘的最大容量。
其次就是很多网友担心的寿命问题，也就是P／E寿命，通俗地说就是数据读写或擦写次数， P／E寿命的公式是擦写次数＊容量／每天擦写量／365，假设1个1TB的QLC颗粒的固态硬盘，每天擦写100GB，意味着它的寿命＝1024＊100／100／365，约2．8年，但是，这个最大写入次数也是理论上的，超出不一定就100％坏了，对于个人用户来说，能够每天写入超过100GB的数据，恐怕是极少极少的。而三星870 QVO 1TB版本可达到360TB TBW（写入的总字节数），2TB版本为720TB TBW，4TB版本为1440TB TBW， 8TB版本为2880TB TBW，对于正常使用来看，这已经是一个足够大的TBW量了，对于大多数个人来说，恐怕我们的PC早就被淘汰，而硬盘却依然可以继续使用呢。
所以，你需要的超大容量、超低成本、超长的使用寿命，三星870 QVO都做到了。
三星870 QVO固态硬盘的外观
三星870 QVO 的外观与上一代一致，2．5英寸SATA 3接口，全金属打造，表面深灰色磨砂处理，非常轻巧而有质感。在容量上1TB起步，提供了2TB、4TB容量可选，最大8TB容量。8TB也是目前首款8TB的消费级SATA SSD。
在QLC颗粒方面，三星一直都是技术突破的引领者。我们拿到的这款产品是2TB版，使用寿命更长，在某种程度上讲足以取代TLC颗粒，成为更高性价比的新一代消费级存储颗粒。
SATA3接口，现在有一些主机预留了热拔插的扩展位，作为数据存储和移动办公使用非常便捷。
三星870 QVO固态硬盘内部
跟上一代的内部布局基本一样，新款的870QVO固态硬盘也是很小的一块PCB板，基于不同容量的版本也会略有差异，毕竟此次最大容量达到了8TB。
三星870QVO基于高密度QLCV－NAND闪存，正反面各一块组成2TB，除了性能上的提升，在使用寿命上，根据三星官方的数据显示，1TB版本为360TB TBW（写入的总字节数），2TB版本为720TB TBW， 4TB版本为1，440TB TBW， 8TB版本为2，880TB TBW。换算到日常应用，可能大多数用户都很难达到如此量级的TBW，况且还有三星三年质保，所以无需担心售后服务。
中间的芯片是最新的MKX控制器，基于ARM架构。最右侧的是2GB LPDDR4缓存，值得一提的是，得益于智能TurboWrite技术，这款硬盘还支持6GB的模拟SLC缓存和最大72GB的智能缓存来保证日常高负荷的大文件写入速度。
三星官方给出的数据，2TB版870 QVO SSD读取速度最高可达560MB／s，写入速度最高为530 MB／s，这几乎是SATA接口可以实现的最高性能。
接下来我们不妨来看看实测性能。
测试平台
我们此次测试的平台硬件搭载的是英特尔九代酷睿i9－9900k处理器，8核心16线程。显卡为英伟达RTX 2080独立显卡，内存为2×16GB DDR4－2666MHz双通道。系统硬盘是三星 PCIe 1TB固态硬盘，微软Windows 10 家庭中文版，均升级到最新版本，办公室环境温度约28°C。
