据《麻省理工科技评论（MIT Technology Review）》报导，中国中芯国际在去年宣布14nm FinFET制程研发成功后，今年将如期开始出货贡献营收，正式追上台积电南京12寸晶圆厂的16nm工艺，而《麻省理工科技评论》分析，中芯国际半导体制程大跃进功臣，即是联合首席执行官梁孟松。
曾任台积电前研发处长的梁孟松，先前也曾转投三星，之后才辗转到中芯国际效力，而梁孟松到中芯国际短短不到10 个月的时间，就令中芯卡关3 年多的14 nm制程获得突破，甚至在今年开始贡献营收。
《麻省理工科技评论》指出，梁孟松主要为中芯国际带来了「孟松三箭」：
第一箭是首颗采用FinFET 制程制造的14 nm芯片，创下中国首颗FinFET 制程自产芯片之里程碑，中芯国际14 nm FinFET 工艺将同时瞄准全球客户，不是只有国内的IC 设计客户，目前已经有超过10 个流片客户数量。
第二箭是12nm 工艺，主要是强化第一代FinFET 技术，而也已经进入客户的导入阶段，预计年底将有几个客户进行流片。
第三支箭是第二代FinFET 工艺，暂定N＋1 技术世代，目前也密集与客户接触讨论此中商机，未来应用领域包括处理器、汽车电子、人工智能等。
台积电南京12 寸晶圆厂16 nm芯片量产时，是中国大陆地区最高阶的工艺技术，而当时中芯国际最高阶技术仅是28 nm。
而未来，台积电针对16 nm的微缩版本12 nm工艺，也将转移至南京厂，但日程未定；而中芯方面，已计划年底小量生产14 nm，再由12 nm接棒，计划追赶上台积电南京厂。
中芯国际在8 月8 日的董事会后也已宣布新的独立董事人选，原本该职位是由前台积电共同营运长蒋尚义担任，随着蒋尚义请辞赴武汉弘芯担任首席执行官，该职务空出，故中芯国际宣布，改由前台积电研发处长杨光磊出任。
对于中芯14 nm制程已获得突破，甚至今年开始贡献营收，市场多有议论是否中芯可能追赶上台积电技术，据业内人士透露，目前台积电领先中芯国际不只三代的制程，中芯量产14 nm工艺芯片对台积电来说，其实影响不大。
